Číslo produktu výrobce:
TSM9N90ECI C0G
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM9N90ECI C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 9A (Tc) 89W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventář:
12895345
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM9N90ECI C0G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2470 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
89W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
ITO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základní číslo výrobku
TSM9
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
TSM9N90ECI C0G-DG
TSM9N90ECIC0G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TSM4459CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 17A 8SOP
DMP4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
DMTH10H015SPSQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
